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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)初一地理口诀顺口溜，怎样分东西半球最简单的方法支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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